Datasheet BC859B,215 - NXP Даташит Транзистор PNP 30 В 0.1 А SOT23 — Даташит

Купить BC859B,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.03 до 17 ₽ 63 предложений от 23 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные
Берёзка Электронные Компоненты Россия	BC859B,215 Nexperia	от 2.40 ₽	Купить
Промэлектроника Россия и страны СНГ	BC859B,215 Nexperia	4.38 ₽	Купить
727GS Весь мир	BC859B,215 NXP	от 4.47 ₽	Купить
МосЧип Россия	BC859B.215 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор PNP 30 В 0.1 А SOT23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC859; BC860 PNP general purpose transistors
Product specification Supersedes data of 1999 May 28 2004 Jan 16
Philips Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30 В
• Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• DC Collector Current: -100 мА
• DC Current Gain: 220
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
• Current Ic Continuous a Max: -10 мА
• Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
• DC Current Gain Min: 220
• Тип корпуса: SOT-23
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

BC859B215, BC859B 215