Datasheet BC859B,215 - NXP Даташит Транзистор PNP 30 В 0.1 А SOT23 — Даташит
Наименование модели: BC859B,215
![]() 65 предложений от 24 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 100 мА, 250 мВт, SOT-23, Surface Mount | |||
BC859B,215 TE Connectivity | 1.43 ₽ | ||
BC859B,215 Nexperia | от 4.20 ₽ | ||
BC859B,215 Nexperia | 17 ₽ | ||
BC859B.215 Maxim | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор PNP 30 В 0.1 А SOT23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC859; BC860 PNP general purpose transistors
Product specification Supersedes data of 1999 May 28 2004 Jan 16
Philips Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30 В
- Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 220
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
- Current Ic Continuous a Max: -10 мА
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- DC Current Gain Min: 220
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
BC859B215, BC859B 215