Datasheet BC859C - NXP Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BC859C
![]() 63 предложений от 29 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 100 мА, 250 мВт, SOT-23, Surface Mount | |||
BC859C NXP | 1.82 ₽ | ||
BC859C Diotec | от 2.60 ₽ | ||
BC859C,215 Nexperia | от 3.89 ₽ | ||
BC859C,215 Nexperia | 16 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, PNP, SOT-23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC859; BC860 PNP general purpose transistors
Product specification Supersedes data of 1999 May 28 2004 Jan 16
Philips Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- Power Dissipation Pd: 250 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- DC Current Gain: 2 мА
- Маркировка: BC859C
- Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
- DC Current Gain Min: 420
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт
- SMD Marking: 4C
- Способ монтажа: SMD
- Обратный ток перехода база-коллектор: 30 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- Roth Elektronik - RE901