Datasheet BST62,115 - NXP Даташит Транзистор DARL PNP SOT89 — Даташит
Наименование модели: BST62,115
![]() 49 предложений от 22 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 80 В, 1 А, 1.3 Вт, SOT-89, Surface Mount | |||
BST62,115 Nexperia | от 22 ₽ | ||
BST62,115 Nexperia | 41 ₽ | ||
BST62.115 NXP | по запросу | ||
BST62115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор DARL PNP SOT89
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D109
BST60; BST61; BST62 PNP Darlington transistors
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80 В
- Частота единичного усиления типовая: 200 МГц
- Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
- DC Collector Current: -1 А
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-89
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: -1.3 В
- Current Ic Continuous a Max: -500 мА
- DC Current Gain: 2000
- DC Current Gain Min: 2000
- Тип корпуса: SOT-89
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Darlington
RoHS: есть
Варианты написания:
BST62115, BST62 115