Datasheet PBSS3515E,115 - NXP Даташит TRANS PNP 15 В 0.5 А SOT416 — Даташит
Наименование модели: PBSS3515E,115
![]() 7 предложений от 7 поставщиков TRANS PNP 15V 0.5A SOT416 | |||
PBSS3515E,115 NXP | 2.37 ₽ | ||
PBSS3515E115 NXP | 8.51 ₽ | ||
PBSS3515E,115 NXP | по запросу | ||
PBSS3515E,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS PNP 15 В 0.5 А SOT416
Краткое содержание документа:
PBSS3515E
15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
01 -- 18 April 2005 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -15 В
- Transition Frequency Typ ft: 280 МГц
- Рассеиваемая мощность: 150 мВт
- DC Collector Current: -500 мА
- DC Current Gain: 200
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-416
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: -25 мВ
- Current Ic Continuous a Max: -10 мА
- Частота единичного усиления типовая: 280 МГц
- DC Current Gain Min: 200
- Тип корпуса: SOT-416
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Low Saturation (BISS)
RoHS: есть
Варианты написания:
PBSS3515E115, PBSS3515E 115