Datasheet PBSS4160DPN,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 60 В 1 А SC-74 — Даташит
Наименование модели: PBSS4160DPN,115
![]() 48 предложений от 20 поставщиков Транзистор: NPN / PNP; биполярный; дополнительная пара; 60В | |||
PBSS4160DPN.115 Nexperia | 6.73 ₽ | ||
PBSS4160DPN.115 NEX-NXP TSOP6 Nexperia | от 17 ₽ | ||
PBSS4160DPN,115 Nexperia | от 19 ₽ | ||
PBSS4160DPN,115 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN/PNP 60 В 1 А SC-74
Краткое содержание документа:
PBSS4160DPN
60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
03 -- 11 December 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Collector Emitter Voltage Vces: 110 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain Min: 250
- DC Current Gain: 500
- Transition Frequency Typ ft: 220 МГц
- Количество выводов: 6
- Корпус транзистора: SOT-457
- Полярность транзистора: NPN / PNP
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 420 мВт
- Способ монтажа: SMD
- Тип корпуса: SOT-457
- Тип транзистора: Low Saturation (BISS)
- Частота единичного усиления типовая: 220 МГц
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PBSS4160DPN115, PBSS4160DPN 115