Datasheet PBSS5330PA - NXP Даташит Транзистор, PNP, 30 В, 3 А, SOT1061 — Даташит
Наименование модели: PBSS5330PA
![]() 33 предложений от 16 поставщиков PBSS5330PA - 30 V, 3 A PNP LOW V / Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 3 A 165MHz 500 mW... | |||
PBSS5330PAS115 NXP | 8.15 ₽ | ||
PBSS5330PA,135 Nexperia | от 8.64 ₽ | ||
PBSS5330PA NXP | 19 ₽ | ||
PBSS5330PAS115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, PNP, 30 В, 3 А, SOT1061
Краткое содержание документа:
PBSS5330PA
30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
01 -- 19 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30 В
- DC Collector Current: -3 А
- DC Current Gain: 320
- Transition Frequency Typ ft: 165 МГц
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-1061
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- Частота единичного усиления типовая: 165 МГц
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)