Datasheet PBSS5580PA - NXP Даташит Транзистор, PNP, 80 В, 4 А, SOT1061 — Даташит

Купить PBSS5580PA на РадиоЛоцман.Цены — от 4.04 до 1 005 ₽ 34 предложений от 15 поставщиков Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
ChipWorker Весь мир	PBSS5580PA NXP	8.81 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PBSS5580PA NXP	9.26 ₽	Купить
727GS Весь мир	PBSS5580PA NXP	от 33 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	PBSS5580PA.115	1 005 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, 80 В, 4 А, SOT1061

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBSS5580PA
80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

01 -- 6 May 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80 В
• DC Collector Current: -4 А
• DC Current Gain: 265
• Transition Frequency Typ ft: 110 МГц
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: SOT-1061
• Полярность транзистора: PNP
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
• Частота единичного усиления типовая: 110 МГц
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)