Datasheet PBSS5612PA - NXP Даташит Транзистор, PNP, 12 В, 6 А, SOT1061 — Даташит
Наименование модели: PBSS5612PA
![]() 13 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - Биполярные Одиночные | |||
PBSS5612PA,115 NXP | 23 ₽ | ||
PBSS5612PA,115 Nexperia | по запросу | ||
PBSS5612PA,115 NXP | по запросу | ||
PBSS5612PA,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, PNP, 12 В, 6 А, SOT1061
Краткое содержание документа:
PBSS5612PA
12 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
01 -- 7 May 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -12 В
- DC Collector Current: -6 А
- DC Current Gain: 335
- Transition Frequency Typ ft: 60 МГц
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-1061
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
- Частота единичного усиления типовая: 60 МГц
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)