Datasheet PBSS8510PA - NXP Даташит Транзистор, NPN, 100 В, 5.2 А, SOT1061 — Даташит
Наименование модели: PBSS8510PA
![]() 27 предложений от 14 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, HUSON3 NPN 100V 5.2A | |||
PBSS8510PA,115 NXP | от 15 ₽ | ||
PBSS8510PA NXP | от 15 ₽ | ||
PBSS8510PA,115 Nexperia | от 30 ₽ | ||
PBSS8510PA.115 | 2 192 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 100 В, 5.2 А, SOT1061
Краткое содержание документа:
PBSS8510PA
100 V, 5.2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
1 -- 17 May 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -100 В
- DC Collector Current: -5.2 А
- DC Current Gain: 285
- Transition Frequency Typ ft: 150 МГц
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-1061
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
- Частота единичного усиления типовая: 150 МГц
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)