Datasheet PDTA123EE,115 - NXP Даташит TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416 — Даташит

Купить PDTA123EE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.37 до 33 ₽ 12 предложений от 11 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов PNP W/RES 50V
IC Home Весь мир	PDTA123EE,115 NXP	2.37 ₽	Купить
Эиком Россия	PDTA123EE,115 Nexperia	7.60 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	PDTA123EE,115 NXP	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PDTA123EE115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS PNP W/RES 50 В SOT-416

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTA123E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Product data sheet Supersedes data of 2004 Apr 07 2004 Aug 02
NXP Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
• Рассеиваемая мощность: 150 мВт
• DC Collector Current: -100 мА
• DC Current Gain: 30
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-416
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: -150 мВ
• Current Ic Continuous a Max: -10 мА
• DC Current Gain Min: 30
• Тип корпуса: SOT-416
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTA123EE115, PDTA123EE 115