Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet PDTB113ZT - NXP Даташит Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит

NXP PDTB113ZT

Наименование модели: PDTB113ZT

55 предложений от 22 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, -50 В, -500 мА, 1 кОм, 10 кОм
Эиком
Россия
PDTB113ZT,215
Nexperia
от 6.80 ₽
PDTB113ZT,215
Nexperia
от 7.10 ₽
Контест
Россия
PDTB113ZT,215
Nexperia
7.75 ₽
МосЧип
Россия
PDTB113ZT
NXP
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • DC Collector Current: 50 мА
  • DC Current Gain: 70
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 50 мА
  • DC Current Gain Min: 70
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Resistance R1: 1 кОм
  • Resistance R2: 10 кОм
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PDTB113ZT - NXP TRANSISTOR, PNP, 50 V, 0.5 A, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка