Datasheet PDTB113ZT - NXP Даташит Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит

Наименование модели: PDTB113ZT
Купить PDTB113ZT на РадиоЛоцман.Цены — от 1.50 до 41 ₽59 предложений от 23 поставщиков TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB. Transistors - Bipolar... | |||
| PDTB113ZT,215 NXP | от 1.50 ₽ | ||
| PDTB113ZT,215 Nexperia | от 11 ₽ | ||
| PDTB113ZT,215 Nexperia | 30 ₽ | ||
| PDTB113ZT215 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- DC Collector Current: 50 мА
- DC Current Gain: 70
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
- Current Ic Continuous a Max: 50 мА
- DC Current Gain Min: 70
- Тип корпуса: SOT-23
- Resistance R1: 1 кОм
- Resistance R2: 10 кОм
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть

Купить PDTB113ZT на РадиоЛоцман.Цены




