Электромагнитные зуммеры KEEN SIDE

Datasheet PDTB113ZT - NXP Даташит Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит

NXP PDTB113ZT

Наименование модели: PDTB113ZT

59 предложений от 23 поставщиков
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB. Transistors - Bipolar...
AllElco Electronics
Весь мир
PDTB113ZT,215
NXP
от 1.50 ₽
Эиком
Россия
PDTB113ZT,215
Nexperia
от 11 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
PDTB113ZT,215
Nexperia
30 ₽
PDTB113ZT215
NXP
по запросу
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • DC Collector Current: 50 мА
  • DC Current Gain: 70
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 50 мА
  • DC Current Gain Min: 70
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Resistance R1: 1 кОм
  • Resistance R2: 10 кОм
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PDTB113ZT - NXP TRANSISTOR, PNP, 50 V, 0.5 A, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка