Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PDTB113ZT - NXP Даташит Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит

NXP PDTB113ZT

Наименование модели: PDTB113ZT

43 предложений от 19 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, -50 В, -500 мА, 1 кОм, 10 кОм
ЗУМ-СМД
Россия
PDTB113ZT,215
NXP
1.93 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PDTB113ZT.215
Nexperia
2.58 ₽
PDTB113ZT,215
NXP
по запросу
PDTB113ZT215
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • DC Collector Current: 50 мА
  • DC Current Gain: 70
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 50 мА
  • DC Current Gain Min: 70
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Resistance R1: 1 кОм
  • Resistance R2: 10 кОм
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PDTB113ZT - NXP TRANSISTOR, PNP, 50 V, 0.5 A, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России