Datasheet PDTB123ET - NXP Даташит — Даташит

Купить PDTB123ET на РадиоЛоцман.Цены — от 1.50 до 24 ₽ 45 предложений от 21 поставщиков TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB. Transistors - Bipolar...
Рутоника Россия и страны СНГ	PDTB123ET,215 Nexperia	3.15 ₽	Купить
Maybo Весь мир	PDTB123ET,215 Nexperia	24 ₽	Купить
Контест Россия	PDTB123ET NXP	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PDTB123ET215 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• DC Collector Current: 50 мА
• DC Current Gain: 40
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
• Current Ic Continuous a Max: 50 мА
• DC Current Gain Min: 40
• Тип корпуса: SOT-23
• Resistance R1: 2.2 кОм
• Resistance R2: 2.2 кОм
• Способ монтажа: SMD

RoHS: есть