Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet PDTB123ET - NXP Даташит — Даташит

NXP PDTB123ET

Наименование модели: PDTB123ET

41 предложений от 21 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, -500 мА, 2.2 кОм, 2.2 кОм
PDTB123ET,215
Nexperia
от 8.71 ₽
TradeElectronics
Россия
PDTB123ET,215
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PDTB123ET,215
по запросу
PDTB123ET,215
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • DC Collector Current: 50 мА
  • DC Current Gain: 40
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 50 мА
  • DC Current Gain Min: 40
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Resistance R1: 2.2 кОм
  • Resistance R2: 2.2 кОм
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PDTB123ET - NXP

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка