Datasheet PDTB123ET - NXP Даташит — Даташит
Наименование модели: PDTB123ET
![]() 41 предложений от 21 поставщиков Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, Одиночный PNP, 50 В, -500 мА, 2.2 кОм, 2.2 кОм | |||
PDTB123ET,215 Nexperia | от 8.71 ₽ | ||
PDTB123ET,215 NXP | по запросу | ||
PDTB123ET,215 | по запросу | ||
PDTB123ET,215 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- DC Collector Current: 50 мА
- DC Current Gain: 40
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
- Current Ic Continuous a Max: 50 мА
- DC Current Gain Min: 40
- Тип корпуса: SOT-23
- Resistance R1: 2.2 кОм
- Resistance R2: 2.2 кОм
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть