Datasheet PDTB123YT - NXP Даташит — Даташит

Купить PDTB123YT на РадиоЛоцман.Цены — от 1.21 до 17 ₽ 52 предложений от 23 поставщиков TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB. Transistors - Bipolar...
AllElco Electronics Весь мир	PDTB123YT/APG215 NXP	1.21 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PDTB123YT/APG215 Rochester Electronics	3.24 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	PDTB123YT/APGR Nexperia	7.14 ₽	Купить
Эиком Россия	PDTB123YT,215 Nexperia	от 11 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• DC Collector Current: 50 мА
• DC Current Gain: 70
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
• Current Ic Continuous a Max: 50 мА
• DC Current Gain Min: 70
• Тип корпуса: SOT-23
• Resistance R1: 2.2 кОм
• Resistance R2: 10 кОм
• Способ монтажа: SMD

RoHS: есть