Datasheet PEMB10,115 - NXP Даташит TRANS PNP/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMB10,115
![]() 35 предложений от 16 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов TRNS DOUBL RET TAPE7 | |||
PEMB10115 NXP | 2.05 ₽ | ||
PEMB10,115 Nexperia | от 4.19 ₽ | ||
PEMB10,115 Nexperia | от 15 ₽ | ||
PEMB10,115 Nexperia | от 17 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS PNP/PNP 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMB10; PUMB10 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2001 Sep 14 2003 Oct 03
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 100
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: -100 мВ
- Current Ic Continuous a Max: -5 мА
- DC Current Gain Min: 100
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMB10115, PEMB10 115