Datasheet PEMB2,115 - NXP Даташит TRANS PNP/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMB2,115
![]() 34 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы, предсмещённые | |||
PEMB2,115 Nexperia | 2.69 ₽ | ||
PEMB2,115 Nexperia | от 14 ₽ | ||
PEMB2,115 Nexperia | по запросу | ||
PEMB2,115 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS PNP/PNP 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMB2; PUMB2 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2001 Sep 14 2003 Oct 15
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 80
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: -150 мВ
- Current Ic Continuous a Max: -10 мА
- DC Current Gain Min: 80
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMB2115, PEMB2 115