Datasheet PEMD10,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит

Купить PEMD10,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.23 до 47 ₽ 37 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы, предсмещённые
Lixinc Electronics Весь мир	PEMD10,115 Nexperia	5.23 ₽	Купить
Microfind Россия	PEMD10,115 Nexperia	9.35 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PEMD10,115 NXP	15 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	PEMD10,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMD10; PUMD10 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2003 Nov 04 2004 Apr 15
NXP Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN / PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 100
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-666
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 5 мА
• DC Current Gain Min: 100
• Тип корпуса: SOT-666
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PEMD10115, PEMD10 115