Datasheet PEMD10,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMD10,115
![]() 31 предложений от 15 поставщиков Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 47 кОм | |||
PEMD10115 NXP | от 5.10 ₽ | ||
PEMD10,115 Nexperia | от 15 ₽ | ||
PEMD10,115 NXP | 15 ₽ | ||
PEMD10115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMD10; PUMD10 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2003 Nov 04 2004 Apr 15
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN / PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 100
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 5 мА
- DC Current Gain Min: 100
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMD10115, PEMD10 115