Datasheet PEMD12,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMD12,115
![]() 51 предложений от 22 поставщиков Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт,... | |||
PEMD12,115 Nexperia | от 11 ₽ | ||
PEMD12,115 Nexperia | от 5.88 ₽ | ||
PEMD12,115 NXP | по запросу | ||
PEMD12,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMD12; PUMD12 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2001 Nov 7 2003 Oct 08
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN / PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 80
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 10 мА
- DC Current Gain Min: 80
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMD12115, PEMD12 115