Datasheet PEMD13,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMD13,115
![]() 30 предложений от 13 поставщиков С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы | |||
PEMD13,115 NXP | от 2.55 ₽ | ||
PEMD13,115 NXP | 7.14 ₽ | ||
PEMD13,115 Nexperia | 37 ₽ | ||
PEMD13115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMD13; PUMD13 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2001 Feb 27 2003 Oct 08
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN / PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 100
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 5 мА
- DC Current Gain Min: 100
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMD13115, PEMD13 115