Datasheet PEMD13,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит

Купить PEMD13,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.42 до 36 ₽ 36 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы, предсмещённые
Lixinc Electronics Весь мир	PEMD13,115 Rochester Electronics	2.42 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PEMD13,115 NXP	7.07 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	PEMD13,115 NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	PEMD13115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMD13; PUMD13 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2001 Feb 27 2003 Oct 08
NXP Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN / PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 100
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-666
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 5 мА
• DC Current Gain Min: 100
• Тип корпуса: SOT-666
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PEMD13115, PEMD13 115