Datasheet PEMD2,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMD2,115
![]() 40 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы, предсмещённые | |||
PEMD2,115 Nexperia | 11 ₽ | ||
PEMD2.115 NXP | по запросу | ||
PEMD2,115 Nexperia | по запросу | ||
PEMD2115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
PEMD2; PIMD2; PUMD2
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 k
Rev.
07 -- 24 September 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN / PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 60
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 10 мА
- DC Current Gain Min: 60
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMD2115, PEMD2 115