Datasheet PEMD3,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMD3,115
![]() 35 предложений от 16 поставщиков Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт,... | |||
PEMD3,115 Nexperia | 9.00 ₽ | ||
PEMD3,115 | по запросу | ||
PEMD3,115 NXP | по запросу | ||
PEMD3115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
PEMD3; PIMD3; PUMD3
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 10 k
Rev.
10 -- 15 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN / PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 30
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 10 мА
- DC Current Gain Min: 30
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMD3115, PEMD3 115