Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet PEMD4,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит

NXP PEMD4,115

Наименование модели: PEMD4,115

19 предложений от 12 поставщиков
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666....
AllElco Electronics
Весь мир
PEMD4,115
Nexperia
2.60 ₽
PEMD4,115
Nexperia
от 13 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
PEMD4,115
Nexperia
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PEMD4115
NXP
по запросу
Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMD4; PUMD4 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = open
Product data sheet Supersedes data of 2002 Jan 14 2003 Oct 10
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN / PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 200
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: 10 мА
  • DC Current Gain Min: 200
  • Тип корпуса: SOT-666
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PEMD4115, PEMD4 115

На английском языке: Datasheet PEMD4,115 - NXP TRANS NPN/PNP 50 V 0.1 A SOT666

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка