Datasheet PEMD4,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMD4,115
![]() 23 предложений от 10 поставщиков Биполярный цифровой/смещение транзистор, NPN и PNP, 50 В, 100 мА, 10 кОм | |||
PEMD4,115 Nexperia | 2.53 ₽ | ||
PEMD4,115 NXP | от 11 ₽ | ||
PEMD4,115 Nexperia | от 12 ₽ | ||
PEMD4,115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMD4; PUMD4 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = open
Product data sheet Supersedes data of 2002 Jan 14 2003 Oct 10
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN / PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 200
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 10 мА
- DC Current Gain Min: 200
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMD4115, PEMD4 115