Datasheet PEMD6,115 - NXP Даташит TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMD6,115
![]() 28 предложений от 12 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов TRNS DOUBL RET TAPE7 | |||
PEMD6,115 Nexperia | от 15 ₽ | ||
PEMD6,115 NXP | 24 ₽ | ||
PEMD6,115 | по запросу | ||
PEMD6,115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN/PNP 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMD6; PUMD6 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = open
Product data sheet Supersedes data of 2003 Nov 04 2004 Apr 07
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN / PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 200
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 5 мА
- DC Current Gain Min: 200
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMD6115, PEMD6 115