Datasheet PBSS5130T,215 - NXP Даташит BISS транзистор, PNP, -30 В, -1 А, 3-SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PBSS5130T,215
![]() 29 предложений от 13 поставщиков Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT | |||
PBSS5130T,215 Nexperia | от 2.51 ₽ | ||
PBSS5130T.215 Nexperia | 4.93 ₽ | ||
PBSS5130T,215 Nexperia | от 12 ₽ | ||
PBSS5130T215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: BISS транзистор, PNP, -30 В, -1 А, 3-SOT-23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D088
PBSS5130T 30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30 В
- Transition Frequency Typ ft: 200 МГц
- Power Dissipation Pd: 300 мВт
- DC Collector Current: -1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 450
RoHS: есть
Варианты написания:
PBSS5130T215, PBSS5130T 215