Datasheet PBSS302PD - NXP Даташит Транзистор, PNP, 40 В, 4 А, SSOT-6 — Даташит

Купить PBSS302PD на РадиоЛоцман.Цены — от 5.24 до 43 ₽ 34 предложений от 19 поставщиков Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 4 A 110MHz 1.1 W Surface Mount 6-TSOP
Элитан Россия	PBSS302PD NXP	42 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	PBSS302PD,115	по запросу	Купить
SUV System Весь мир	PBSS302PD,115 Nexperia	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PBSS302PD,115 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, 40 В, 4 А, SSOT-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBSS302PD
40 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

02 -- 6 December 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -40 В
• Частота единичного усиления типовая: 110 МГц
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SSOT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: -450 мВ
• Current Ic @ Vce Sat: -6 А
• Current Ic Continuous a Max: -4 А
• DC Current Gain: -500 мА
• DC Current Gain Min: 200
• Тип корпуса: SSOT-6
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть