Datasheet PBSS303PD - NXP Даташит Транзистор, PNP, 60 В, 3 А, SSOT-6 — Даташит
Наименование модели: PBSS303PD
![]() 29 предложений от 16 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7 | |||
PBSS303PD,115 Nexperia | от 13 ₽ | ||
PBSS303PD115 NXP | 18 ₽ | ||
PBSS303PD T/R NXP | по запросу | ||
PBSS303PD NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, PNP, 60 В, 3 А, SSOT-6
Краткое содержание документа:
PBSS303PD
60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
02 -- 20 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -60 В
- Частота единичного усиления типовая: 110 МГц
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SSOT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: -675 мВ
- Current Ic @ Vce Sat: -6 А
- Current Ic Continuous a Max: -3 А
- DC Current Gain: -500 мА
- DC Current Gain Min: 180
- Тип корпуса: SSOT-6
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть