Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet PDTB113ET - NXP Даташит Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит

NXP PDTB113ET

Наименование модели: PDTB113ET

38 предложений от 15 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные, предсмещённые
AiPCBA
Весь мир
PDTB113ET,215
NXP
3.37 ₽
PDTB113ET,215
Nexperia
от 6.95 ₽
PDTB113ET T/R
NXP
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
PDTB113ET,215
Nexperia
по запросу
АЦП азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
  • Current Ic Continuous a Max: -50 мА
  • DC Current Gain Min: 33
  • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236)
  • Power Dissipation Pd: 250 мВт
  • Resistance R1: 1 кОм
  • Resistance R2: 1 кОм
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet PDTB113ET - NXP TRANSISTOR, PNP, 50 V, 0.5 A, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка