Datasheet PDTB113ET - NXP Даташит Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит

Купить PDTB113ET на РадиоЛоцман.Цены — от 2.50 до 23 ₽ 35 предложений от 17 поставщиков TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB. Transistors - Bipolar...
Рутоника Россия и страны СНГ	PDTB113ET,215 Nexperia	5.54 ₽	Купить
Элитан Россия	PDTB113ET NXP	5.57 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	PDTB113ET,215 Nexperia	от 9.37 ₽	Купить
Augswan Весь мир	PDTB113ET Philips	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, 50 В, 0.5 А, SOT-23

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
• Current Ic Continuous a Max: -50 мА
• DC Current Gain Min: 33
• Тип корпуса: SOT-23 (TO-236)
• Power Dissipation Pd: 250 мВт
• Resistance R1: 1 кОм
• Resistance R2: 1 кОм
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE901