Datasheet 2N5191G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, TO-225 — Даташит
Наименование модели: 2N5191G
![]() 41 предложений от 18 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А, 40 Вт, TO-225AA, Through Hole | |||
2N5191G ON Semiconductor | от 8.32 ₽ | ||
2N5191G ON Semiconductor | 31 ₽ | ||
2N5191G ON Semiconductor | по запросу | ||
2N5191G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, NPN, TO-225
Краткое содержание документа:
2N5190, 2N5191, 2N5192 Silicon NPN Power Transistors
Silicon NPN power transistors are for use in power amplifier and switching circuits, -- excellent safe area limits.
Complement to PNP 2N5194, 2N5195.
http://onsemi.com Features
· ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
Human Body Model, 3B; > 8000 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Частота единичного усиления типовая: 2 МГц
- Power Dissipation Pd: 40 Вт
- DC Collector Current: 4 А
- Корпус транзистора: TO-225AA
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 600 мВ
- Complementary Device: 2N5194 / 2N5195
- Ток коллектора постоянный максимальный: 4 А
- Current Ic Continuous a Max: 4 А
- DC Current Gain: 4 А
- Частота единичного усиления минимальная: 2 МГц
- DC Current Gain Min: 10
- Тип корпуса: TO-225AA
- Рассеиваемая мощность максимальная: 40 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Обратный ток перехода база-коллектор: 60 В
RoHS: есть