Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet 2N5191G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, TO-225 — Даташит

ON Semiconductor 2N5191G

Наименование модели: 2N5191G

33 предложений от 14 поставщиков
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А, 40 Вт, TO-225AA, Through Hole
2N5191G
ON Semiconductor
12 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
2N5191G
ON Semiconductor
26 ₽
ЧипСити
Россия
2N5191G
ON Semiconductor
35 ₽
Acme Chip
Весь мир
2N5191G.
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN, TO-225

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2N5190, 2N5191, 2N5192 Silicon NPN Power Transistors
Silicon NPN power transistors are for use in power amplifier and switching circuits, -- excellent safe area limits.

Complement to PNP 2N5194, 2N5195.
http://onsemi.com Features
· ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
Human Body Model, 3B; > 8000 V

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
  • Частота единичного усиления типовая: 2 МГц
  • Power Dissipation Pd: 40 Вт
  • DC Collector Current: 4 А
  • Корпус транзистора: TO-225AA
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 600 мВ
  • Complementary Device: 2N5194 / 2N5195
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 4 А
  • Current Ic Continuous a Max: 4 А
  • DC Current Gain: 4 А
  • Частота единичного усиления минимальная: 2 МГц
  • DC Current Gain Min: 10
  • Тип корпуса: TO-225AA
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 40 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 60 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet 2N5191G - ON Semiconductor TRANSISTOR, NPN, TO-225

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России