Datasheet BD677G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-126 — Даташит

Купить BD677G на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 1 175 ₽ 23 предложений от 16 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 60 В, 4 А, 40 Вт, TO-225AA, Through Hole
T-electron Россия и страны СНГ	BD677G ON Semiconductor	23 ₽	Купить
727GS Весь мир	BD677G ON Semiconductor	от 50 ₽	Купить
ЭИК Россия	BD677G ON Semiconductor	82 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	BD677G-BOX[500] ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-126

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BD675, BD675A, BD677, BD677A, BD679, BD679A, BD681
BD681 is a Preferred Device
Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons
This series of plastic, medium-power silicon NPN Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
Features http://onsemi.com

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Power Dissipation Pd: 40 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-126
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Av Current Ic: 4 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 4 А
• Current Ic Continuous a Max: 4 А
• DC Current Gain: 1.5 А
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 750
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-126
• Рассеиваемая мощность максимальная: 40 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Тип транзистора: Darlington
• Обратный ток перехода база-коллектор: 60 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 213 SA-32
• Fischer Elektronik - UK 35 SA-32
• Fischer Elektronik - WLK 5