Datasheet MJD122G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, NPN, 100 В — Даташит
Наименование модели: MJD122G
![]() 47 предложений от 20 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 8 А, 1.75 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
MJD122G ON Semiconductor | от 41 ₽ | ||
MJD122G ON Semiconductor | 85 ₽ | ||
MJD122G ON Semiconductor | от 114 ₽ | ||
MJD122G Sanyo | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 100 В
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- DC Collector Current: 8 А
- DC Current Gain: 12
- Количество выводов: 3
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт
- RoHS: да