Datasheet MJD50G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, D-PAK — Даташит

Купить MJD50G на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 132 ₽ 35 предложений от 16 поставщиков Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 400 В, 1 А, 1.56 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount
T-electron Россия и страны СНГ	MJD50G ON Semiconductor	18 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	MJD50G ON Semiconductor	от 60 ₽	Купить
ЭИК Россия	MJD50G ON Semiconductor	от 132 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	MJD50G Texas Instruments	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJD47, MJD50 High Voltage Power Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
D e s i g n e d f o r l i n e o p e r a t e d a u d i o o u t p u t a m p l i f i e r, SWITCHMODE t power supply drivers and other switching applications.
Features http://onsemi.com
· Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves · · · · · ·

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
• Частота единичного усиления типовая: 10 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
• DC Collector Current: 1 А
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Код применяемости: PGP
• Collector Emitter Voltage Vces: 1 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 1 А
• Current Ic Continuous a Max: 1 А
• DC Current Gain: 200 мА
• External Depth: 10.28 мм
• Внешняя длина / высота: 2.38 мм
• Внешняя ширина: 6.73 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Частота единичного усиления минимальная: 10 МГц
• DC Current Gain Min: 25
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: D-PAK
• Рассеиваемая мощность максимальная: 15 Вт
• SMD Marking: MJD50
• Способ монтажа: SMD
• Обратный ток перехода база-коллектор: 500 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5