Datasheet MJE243G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, TO-225 — Даташит

Купить MJE243G на РадиоЛоцман.Цены — от 4.37 до 112 ₽ 55 предложений от 22 поставщиков Биполярный транзистор, аудио, NPN, 100 В, 4 А, 15 Вт, TO-225, Through Hole
727GS Весь мир	MJE253G MJE243G ON Semiconductor	от 22 ₽	Купить
Эиком Россия	MJE243G ON Semiconductor	от 73 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	MJE243G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	MJE243G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN, TO-225

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE243 - NPN, MJE253 - PNP Complementary Silicon Power Plastic Transistors
These devices are designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications.
Features http://onsemi.com
· High Collector-Emitter Sustaining Voltage - · High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc · · · ·
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) hFE = 40 -200 = 40 -120 Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc High Current Gain Bandwidth Product - fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc Annular Construction for Low Leakages ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB Pb-Free Packages are Available*

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Частота единичного усиления типовая: 40 МГц
• Power Dissipation Pd: 15 мВт
• DC Collector Current: 4 А
• Корпус транзистора: TO-225
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
• Complementary Device: MJE253
• Ток коллектора постоянный максимальный: 4 А
• Current Ic Continuous a Max: 1 А
• DC Current Gain: 1 А
• Частота единичного усиления минимальная: 40 МГц
• DC Current Gain Min: 15
• Тип корпуса: TO-225
• Рассеиваемая мощность максимальная: 15 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Обратный ток перехода база-коллектор: 100 В

RoHS: есть