Источники питания KEEN SIDE

Datasheet MMBT6427LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN — Даташит

ON Semiconductor MMBT6427LT1G

Наименование модели: MMBT6427LT1G

52 предложений от 21 поставщиков
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В, 500 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount
Триема
Россия
MMBT6427LT1G
14 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
MMBT6427LT1G
ON Semiconductor
по запросу
MMBT6427LT1G
ON Semiconductor
по запросу
Augswan
Весь мир
MMBT6427LT1G
ON Semiconductor
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBT6427LT1G Darlington Transistor
NPN Silicon
Features
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
  • Рассеиваемая мощность: 225 мВт
  • DC Collector Current: 500 мА
  • DC Current Gain: 200
  • Корпус транзистора: SOT-323
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 В
  • Current Ic Continuous a Max: 500 мА
  • DC Current Gain Min: 20
  • Тип корпуса: SOT-323
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MMBT6427LT1G - ON Semiconductor TRANSISTOR, NPN

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка