Datasheet MMBT6427LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN — Даташит
Наименование модели: MMBT6427LT1G
![]() 54 предложений от 23 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 40 В, 500 мА, 225 мВт, SOT-23, Surface Mount | |||
MMBT6427LT1G ON Semiconductor | от 3.35 ₽ | ||
MMBT6427LT1G ON Semiconductor | от 8.46 ₽ | ||
MMBT6427LT1G ON Semiconductor | 15 ₽ | ||
MMBT6427LT1G ON Semiconductor | 17 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, NPN
Краткое содержание документа:
MMBT6427LT1G Darlington Transistor
NPN Silicon
Features
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
- Рассеиваемая мощность: 225 мВт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain: 200
- Корпус транзистора: SOT-323
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 В
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- DC Current Gain Min: 20
- Тип корпуса: SOT-323
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть