Datasheet 2N6338G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, NPN, 100 В, TO-3 — Даташит

ON Semiconductor 2N6338G

Наименование модели: 2N6338G

Купить 2N6338G на РадиоЛоцман.Цены — от 545 до 3 394 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков ON SEMICONDUCTOR - 2N6338G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 40...
ChipWorker Весь мир	2N6338G ON Semiconductor	545 ₽
ЧипСити Россия	2N6338G ON Semiconductor	589 ₽
IC Home Весь мир	2N6338G ON Semiconductor	1 460 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	2N6338G ON Semiconductor	по запросу

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 100 В, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ON Semiconductort
High-Power NPN Silicon Transistors
.

. . designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications. · High Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - 2N6338 = 150 Vdc (Min) - 2N6341 · High DC Current Gain - hFE = 30 - 120 @ IC = 10 Adc = 12 (Min) @ IC = 25 Adc · Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc · Fast Switching Times @ IC = 10 Adc tr = 0.3 ms (Max) ts = 1.0 ms (Max) tf = 0.25 ms (Max)
2N6338 2N6341*
*ON Semiconductor Preferred Device

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
Transition Frequency Typ ft: 40 МГц
Power Dissipation Pd: 200 Вт
DC Collector Current: 25 А
DC Current Gain Max (hfe): 40

RoHS: есть