Datasheet MJD112-1G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, D-PAK — Даташит

Купить MJD112-1G на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 391 ₽ 38 предложений от 18 поставщиков Составные транзисторы - транзисторы Дарлингтона 2A 100V Bipolar
Lixinc Electronics Весь мир	MJD112-1G Rochester Electronics	от 15 ₽	Купить
IC Home Весь мир	MJD112-1G ON Semiconductor	68 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	MJD112-1G ON Semiconductor	от 122 ₽	Купить
727GS Весь мир	MJD112-1G Rochester Electronics	от 391 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, D-PAK

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Transition Frequency Typ ft: 25 МГц
• Power Dissipation Pd: 20 Вт
• DC Collector Current: 2 А
• DC Current Gain Max (hfe): 12

RoHS: есть

Варианты написания:

MJD1121G, MJD112 1G