Datasheet MJD112T4G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, D-PAK — Даташит

Купить MJD112T4G на РадиоЛоцман.Цены — от 7.00 до 84 ₽ 44 предложений от 21 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А
AiPCBA Весь мир	MJD112T4G ON Semiconductor	38 ₽	Купить
Элитан Россия	MJD112T4G ON Semiconductor	41 ₽	Купить
ЭИК Россия	MJD112T4G ON Semiconductor	от 45 ₽	Купить
Контест Россия	MJD112T4G ON Semiconductor	76 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, D-PAK

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Transition Frequency Typ ft: 25 МГц
• Power Dissipation Pd: 20 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

RoHS: есть