Datasheet MJD243T4G - ON Semiconductor Даташит Мощность транзистор, NPN, 100 В, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MJD243T4G
![]() 30 предложений от 13 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4 А, 12.5 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
MJD243T4G ON Semiconductor | от 44 ₽ | ||
MJD243T4G ON Semiconductor | 51 ₽ | ||
MJD243T4G ON Semiconductor | 80 ₽ | ||
MJD243T4G ON Semiconductor | от 86 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Мощность транзистор, NPN, 100 В, D-PAK
Краткое содержание документа:
MJD243 (NPN), MJD253 (PNP) Complementary Silicon Plastic Power Transistor
DPAK-3 for Surface Mount Applications
Designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications.
Features http://onsemi.com
· Collector-Emitter Sustaining Voltage - ·
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 40 МГц
- Power Dissipation Pd: 12.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Количество выводов: 3
RoHS: есть