Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet MJD31C1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, 100 В, 3 А, DPAK — Даташит

ON Semiconductor MJD31C1G

Наименование модели: MJD31C1G

16 предложений от 15 поставщиков
TRANS NPN 100V 3A IPAK. Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK. Transistors - Bipolar (BJT) -...
Maybo
Весь мир
MJD31C1G
ON Semiconductor
24 ₽
Элитан
Россия
MJD31C1G
ON Semiconductor
58 ₽
MJD31C1G
ON Semiconductor
от 78 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
MJD31C1G
ON Semiconductor
по запросу
Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, NPN, 100 В, 3 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
  • DC Collector Current: 3 А
  • DC Current Gain: 25
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 15 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet MJD31C1G - ON Semiconductor TRANSISTOR, NPN, 100 V, 3 A, DPAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка