Datasheet MJD31C1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN, 100 В, 3 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: MJD31C1G
![]() 20 предложений от 16 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, IPAK NPN 100V 3A | |||
MJD31C1G ON Semiconductor | 21 ₽ | ||
MJD31C1G ON Semiconductor | 23 ₽ | ||
MJD31C1G ON Semiconductor | 31 ₽ | ||
MJD31C1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, NPN, 100 В, 3 А, DPAK
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- DC Collector Current: 3 А
- DC Current Gain: 25
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 15 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)