Datasheet MJE3439G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, NPN, 350 В, TO-225 — Даташит

Купить MJE3439G на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 101 ₽ 15 предложений от 11 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 300 мА, 15 Вт, TO-225, Through Hole
ЧипСити Россия	MJE3439G ON Semiconductor	35 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	MJE3439G ON Semiconductor	36 ₽	Купить
IC Home Весь мир	MJE3439G ON Semiconductor	55 ₽	Купить
Maybo Весь мир	MJE3439G ON Semiconductor	61 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, NPN, 350 В, TO-225

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE3439 NPN Silicon High-Voltage Power Transistor
This device is designed for use in line-operated equipment requiring high fT.
Features http://onsemi.com
· High DC Current Gain - hFE = 40-160 @ IC · · ·
= 20 mAdc Current Gain Bandwidth Product - fT = 15 MHz (Min) @ IC = 10 mAdc Low Output Capacitance - Cob = 10 pF (Max) @ f = 1.0 MHz Pb-Free Package is Available*

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350 В
• Transition Frequency Typ ft: 15 МГц
• Power Dissipation Pd: 15 Вт
• DC Collector Current: 300 мА
• DC Current Gain Max (hfe): 15

RoHS: есть