Datasheet MJE802G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 80 В, TO-225 — Даташит

Купить MJE802G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.16 до 109 ₽ 18 предложений от 14 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А, 40 Вт, TO-225, Through Hole
T-electron Россия и страны СНГ	MJE802G ON Semiconductor	17 ₽	Купить
Maybo Весь мир	MJE802G ON Semiconductor	109 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	MJE802G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	MJE802G Texas Instruments	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 80 В, TO-225

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE700, MJE702, MJE703 (PNP) - MJE800, MJE802, MJE803 (NPN) Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
These devices are designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications.
Features
http://onsemi.com
· High DC Current Gain - hFE = 2000 (Typ) @ IC · · ·

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
• Power Dissipation Pd: 40 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• DC Current Gain Max (hfe): 750
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

RoHS: есть