Datasheet MJE802G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 80 В, TO-225 — Даташит

ON Semiconductor MJE802G

Наименование модели: MJE802G

Купить MJE802G на РадиоЛоцман.Цены — от 9.59 до 151 ₽ 22 предложений от 13 поставщиков Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А, 40 Вт, TO-225, Through Hole
Стандарт СИЗ Россия	MJE802G ON Semiconductor	9.59 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	MJE802G ON Semiconductor	20 ₽
Utmel Весь мир	MJE802G ON Semiconductor	от 83 ₽
Онлайн Компоненты Россия	MJE802G ON Semiconductor	от 85 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 80 В, TO-225

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE700, MJE702, MJE703 (PNP) - MJE800, MJE802, MJE803 (NPN) Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
These devices are designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications.
Features
http://onsemi.com
· High DC Current Gain - hFE = 2000 (Typ) @ IC · · ·

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
Power Dissipation Pd: 40 Вт
DC Collector Current: 4 А
DC Current Gain Max (hfe): 750
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C

RoHS: есть