Datasheet MMBT5088LT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, NPN, 30 В — Даташит
Наименование модели: MMBT5088LT1G
![]() 31 предложений от 14 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 50мА; 225/300мВт; SOT23 | |||
MMBT5088LT1G ON Semiconductor | от 2.73 ₽ | ||
MMBT5088LT1G ON Semiconductor | от 2.73 ₽ | ||
MMBT5088LT1G ON Semiconductor | от 11 ₽ | ||
MMBT5088LT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 30 В
Краткое содержание документа:
MMBT5088LT1G, MMBT5089LT1G Low Noise Transistors
NPN Silicon
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 1 BASE Symbol MMBT5088 MMBT5089 MMBT5088 MMBT5089 VCEO Value 30 25 35 30 4.5 50 Unit Vdc 2 EMITTER
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
- Transition Frequency Typ ft: 50 МГц
- Power Dissipation Pd: 225 мВт
- DC Collector Current: 50 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 50
RoHS: есть