Datasheet MMBT5088LT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, NPN, 30 В — Даташит

Наименование модели: MMBT5088LT1G
Купить MMBT5088LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 0.97 до 30 ₽46 предложений от 19 поставщиков TRANS NPN 30V 0.05A SOT23. Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 50mA 50MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236). Transistors - Bipolar (BJT)... | |||
| MMBT5088LT1G ON Semiconductor | от 4.80 ₽ | ||
| MMBT5088LT1G ON Semiconductor | 16 ₽ | ||
| MMBT5088LT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
| MMBT5088LT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 30 В
Краткое содержание документа:
MMBT5088LT1G, MMBT5089LT1G Low Noise Transistors
NPN Silicon
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 1 BASE Symbol MMBT5088 MMBT5089 MMBT5088 MMBT5089 VCEO Value 30 25 35 30 4.5 50 Unit Vdc 2 EMITTER
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
- Transition Frequency Typ ft: 50 МГц
- Power Dissipation Pd: 225 мВт
- DC Collector Current: 50 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 50
RoHS: есть

Купить MMBT5088LT1G на РадиоЛоцман.Цены




