Datasheet BC373G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-92 — Даташит

Купить BC373G на РадиоЛоцман.Цены — от 9.53 до 35 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-92 NPN 80V 1A
ЭлектроПласт Россия	BC373G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BC373G	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	BC373G ON Semiconductor	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BC373G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BC372, BC373 High Voltage Darlington Transistors
NPN Silicon
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 BASE 2 Symbol VCEO BC372 BC373 Collector -Base Voltage BC372 BC373 Emitter-Base Voltage Collector Current - Continuous Total Power Dissipation @ TA = 25°C Derate above TA = 25°C Total Power Dissipation @ TA = 25°C Derate above TA = 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range VEBO IC PD PD TJ, Tstg VCES 100 80 12 1.0 625 5.0 1.5 12 -55 to +150 Vdc Adc mW mW/°C W mW/°C °C BC37x = Device Code x = 2 or 3 A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week G = Pb-Free Package (Note: Microdot may be in either location) 12 3 TO-92 CASE 29 STYLE 1 BC 37x AYWW G G 100 80 Vdc Value Unit Vdc EMITTER 1
· Pb-Free Packages are Available*

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
• Частота единичного усиления типовая: 200 МГц
• Power Dissipation Pd: 625 мВт
• DC Collector Current: 1 А
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-92
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Av Current Ic: 1 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.1 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 1 А
• Current Ic Continuous a Max: 1 А
• DC Current Gain: 100 мА
• Маркировка: BC373
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
• DC Current Gain Min: 10000
• Hfe NPN Device @ IC Min: 0.1
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-92
• Pin Configuration: b
• Рассеиваемая мощность максимальная: 625 мВт
• Способ монтажа: Through Hole
• Тип транзистора: Darlington
• Обратный ток перехода база-коллектор: 80 В
• Voltage Vceo Max: 80 В

RoHS: есть