Datasheet BC807-25LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, BC807-25LT1 — Даташит
Наименование модели: BC807-25LT1G
![]() 60 предложений от 26 поставщиков Биполярный транзистор: PNP, 45В, 0.5А Тип корпуса : SOT23-3 Тип перехода (полярность) : PNP Напряжение КЭ В: 45 Максимальный ток коллектора... | |||
BC807-25LT1G ON Semiconductor | от 2.87 ₽ | ||
BC807-25LT1G ON Semiconductor | от 4.30 ₽ | ||
BC80725LT1G Rectron Semiconductor | по запросу | ||
BC807-25LT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Транзистор, BC807-25LT1
Краткое содержание документа:
BC807-16LT1G, BC807-25LT1G, BC807-40LT1G General Purpose Transistors
PNP Silicon
Features
http://onsemi.com
COLLECTOR 3 1 BASE 2 EMITTER Symbol VCEO VCBO VEBO IC Value -45 -50 -5.0 -500 Unit V V V mAdc 1 2 SOT-23 CASE 318 STYLE 6 3
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -45 В
- Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain: 100
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 160 В
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- DC Current Gain Min: 400
- Тип корпуса: SOT-23
RoHS: есть
Варианты написания:
BC80725LT1G, BC807 25LT1G