Datasheet BD682G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-126 — Даташит
Наименование модели: BD682G
 Купить BD682G на РадиоЛоцман.Цены — от 7.73 до 114 ₽45 предложений от 19 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
| BD682G | 56 ₽ | ||
| BD682G ON Semiconductor | от 71 ₽ | ||
| BD682G ON Semiconductor | по запросу | ||
| BD682G | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-126
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BD676, BD676A, BD678, BD678A, BD680, BD680A, BD682, BD682T Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons
This series of plastic, medium-power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
Features http://onsemi.com
· High DC Current Gain - · · · ·
hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc Monolithic Construction BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 BD678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703 Pb-Free Package are Available*
Данные для моделированияСпецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Power Dissipation Pd: 40 Вт
- DC Collector Current: -4 А
- Корпус транзистора: TO-126
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Av Current Ic: 4 А
- Collector Emitter Voltage Vces: -2.5 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 4 А
- Current Ic Continuous a Max: 4 А
- DC Current Gain: 1.5 А
- Маркировка: BD682
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 750
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-126
- Рассеиваемая мощность максимальная: 40 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: Darlington
- Обратный ток перехода база-коллектор: 100 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 213 SA-32
- Fischer Elektronik - UK 35 SA-32
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Multicomp - BD678
