Datasheet MBT35200MT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный, транзистор — Даташит

ON Semiconductor MBT35200MT1G

Наименование модели: MBT35200MT1G

Купить MBT35200MT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 4.49 до 39 ₽ 26 предложений от 14 поставщиков Trans GP BJT PNP 35V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
IC Home Весь мир	MBT35200MT1G ON Semiconductor	39 ₽
LifeElectronics Россия	MBT35200MT1G ON Semiconductor	по запросу
727GS Весь мир	MBT35200MT1G ON Semiconductor	по запросу
Augswan Весь мир	MBT35200MT1G ON Semiconductor	по запросу

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный, транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBT35200MT1 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current - Continuous Collector Current - Peak Electrostatic Discharge Symbol VCEO VCBO VEBO IC ICM ESD Max -35 -55 -5.0 -2.0 -5.0 Unit Vdc Vdc Vdc Adc A 3 BASE 4 EMITTER COLLECTOR 1, 2, 5, 6
http://onsemi.com
35 VOLTS 2.0 AMPS PNP TRANSISTOR

Спецификации:

Полярность транзистора: PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 35 В
Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
Рассеиваемая мощность: 625 мВт
DC Collector Current: 2 А
DC Current Gain: 200
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TSOP
Количество выводов: 6
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Collector Emitter Voltage Vces: 200 мВ
Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
DC Current Gain Min: 400
Тип корпуса: 6-TSOP

RoHS: есть