Datasheet MBT35200MT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный, транзистор — Даташит

Купить MBT35200MT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 4.49 до 44 ₽ 34 предложений от 17 поставщиков TRANS PNP 35V 2A 6TSOP. Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP. Transistors - Bipolar (BJT) -...
Maybo Весь мир	MBT35200MT1G ON Semiconductor	37 ₽	Купить
Эиком Россия	MBT35200MT1G ON Semiconductor	от 43 ₽	Купить
Augswan Весь мир	MBT35200MT1G ON Semiconductor	по запросу	Купить
SUV System Весь мир	MBT35200MT1G	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный, транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MBT35200MT1 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current - Continuous Collector Current - Peak Electrostatic Discharge Symbol VCEO VCBO VEBO IC ICM ESD Max -35 -55 -5.0 -2.0 -5.0 Unit Vdc Vdc Vdc Adc A 3 BASE 4 EMITTER COLLECTOR 1, 2, 5, 6
http://onsemi.com
35 VOLTS 2.0 AMPS PNP TRANSISTOR

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 35 В
• Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
• Рассеиваемая мощность: 625 мВт
• DC Collector Current: 2 А
• DC Current Gain: 200
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TSOP
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 200 мВ
• Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
• DC Current Gain Min: 400
• Тип корпуса: 6-TSOP

RoHS: есть