Datasheet MJE253G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, сдвоенный, PNP, TO-225 — Даташит

Купить MJE253G на РадиоЛоцман.Цены — от 5.23 до 100 ₽ 63 предложений от 25 поставщиков Корпус черного цвета из пластика под заливку компаундом, крышка возможна
ЗУМ-СМД Россия	MJE253G ON Semiconductor	10 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	MJE253G ON Semiconductor	от 36 ₽	Купить
ЧипСити Россия	MJE253G ON Semiconductor	37 ₽	Купить
Maybo Весь мир	MJE253G ON Semiconductor	100 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, сдвоенный, PNP, TO-225

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE243 - NPN, MJE253 - PNP Complementary Silicon Power Plastic Transistors
These devices are designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications.
Features http://onsemi.com
· High Collector-Emitter Sustaining Voltage - · High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc · · · ·
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) hFE = 40 -200 = 40 -120 Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc High Current Gain Bandwidth Product - fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc Annular Construction for Low Leakages ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB Pb-Free Packages are Available*

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Частота единичного усиления типовая: 40 МГц
• Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
• DC Collector Current: 4 А
• Корпус транзистора: TO-225
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 1 А
• DC Current Gain: 180 мА
• DC Current Gain Min: 15
• Тип корпуса: TO-225
• Способ монтажа: Through Hole

RoHS: есть