Datasheet MJE350G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, PNP, TO-126 — Даташит

Купить MJE350G на РадиоЛоцман.Цены — от 6.02 до 99 ₽ 60 предложений от 29 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -300Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -300Максимальный постоянный ток коллектора, А: -0,5Коэффициент усиления hFE...
AiPCBA Весь мир	MJE350G ON Semiconductor	40 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	MJE350G ONS TO-225AA ON Semiconductor	от 44 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	MJE350G ON Semiconductor	от 48 ₽	Купить
Maybo Весь мир	MJE350G ON Semiconductor	95 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, PNP, TO-126

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJE350 Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor
This device is designed for use in line-operated applications such as low power, line-operated series pass and switching regulators requiring PNP capability.
Features http://onsemi.com
· High Collector-Emitter Sustaining Voltage - · · ·
VCEO(sus) = 300 Vdc @ IC = 1.0 mAdc Excellent DC Current Gain - hFE = 30-240 @ IC = 50 mAdc Plastic Thermopad Package Pb-Free Package is Available*

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300 В
• Power Dissipation Pd: 20 Вт
• DC Collector Current: 500 мА
• Корпус транзистора: TO-126
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 30 В
• Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
• Current Ic Continuous a Max: 500 мА
• DC Current Gain: 50 мА
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 30
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-126
• Рассеиваемая мощность максимальная: 20 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Обратный ток перехода база-коллектор: 300 В постоянного тока

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 213 SA-32
• Fischer Elektronik - UK 35 SA-32
• Fischer Elektronik - WLK 5