Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet MJL1302AG - ON Semiconductor Даташит Транзистор, PNP, TO-264 — Даташит

ON Semiconductor MJL1302AG

Наименование модели: MJL1302AG

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, PNP, TO-264

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MJL3281A (NPN) MJL1302A (PNP)
Preferred Devices
Complementary Bipolar Power Transistors
Features
· · · · · · · · · · ·

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 200 В
  • Частота единичного усиления типовая: 20 МГц
  • Power Dissipation Pd: 200 мВт
  • DC Collector Current: 15 А
  • Корпус транзистора: TO-264
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Av Current Ic: 15 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: -3 В
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 15 А
  • Current Ic Continuous a Max: 15 А
  • DC Current Gain: 7 А
  • Маркировка: MJL1302A
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Частота единичного усиления минимальная: 30 МГц
  • DC Current Gain Min: 60
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: TO-264
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 200 Вт
  • Pulsed Current Icm: 25 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 200 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MJL1302AG - ON Semiconductor TRANSISTOR, PNP, TO-264

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России